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Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Producto similar | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
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| N.º de artículo de Mouser: | 595-CSD25483F4T | 595-CSD25483F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | CSD25483F4T | CSD25483F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Texas Instruments | Texas Instruments | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4 | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4T | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | CSD25483F4T Hoja de datos | CSD25483F4 Hoja de datos | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | Texas Instruments | Texas Instruments | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | PH | PH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 7 ns | 7 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 1.4 S | 1.4 S | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 1.6 A | 1.6 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Texas Instruments | Texas Instruments | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C | + 150 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | SMD/SMT | SMD/SMT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | PICOSTAR-3 | PICOSTAR-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Reel | Reel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW | 500 mW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 960 pC | 960 pC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1.07 Ohms | 1.07 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 3.7 ns | 3.7 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | CSD25483F4 | CSD25483F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 250 | 3000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | P-Channel | P-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 P-Channel | 1 P-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 17.4 ns | 17.4 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 4.3 ns | 4.3 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 20 V | 20 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 12 V, 12 V | - 12 V, 12 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 950 mV | 950 mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nombre comercial: | - | NexFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | 1,783 Se puede enviar inmediatamente | 6,789 Se puede enviar inmediatamente | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | 6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
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| Precio: |
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
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