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Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Producto similar | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
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| N.º de artículo de Mouser: | 511-STP23N80K5 | 511-STP25N80K5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | STP23N80K5 | STP25N80K5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | STP23N80K5 Hoja de datos (PDF) | STP25N80K5 Hoja de datos (PDF) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | IT | CN | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 9 ns | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 16 A | 19.5 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C | + 150 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | Through Hole | Through Hole | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 | TO-220-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Tube | Tube | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 190 W | 250 W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 33 nC | 40 nC | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 280 mOhms | 260 mOhms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 9 ns | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | STP23N80K5 | STP25N80K5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 1000 | 1000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nombre comercial: | MDmesh | MDmesh | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 48 ns | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 14 ns | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 800 V | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 30 V, 30 V | - 30 V, 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 4 V | 4 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | 1,980 Se puede enviar inmediatamente | 718 Se puede enviar inmediatamente | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
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| Precio: |
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