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Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Producto similar | ||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
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| N.º de artículo de Mouser: | 726-IPW65R019C7 | 726-IPW65R019C7FKSA1 | |||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | IPW65R019C7 | IPW65R019C7FKSA1 | |||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 | |||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | IPW65R019C7 Hoja de datos (PDF) | IPW65R019C7FKSA1 Hoja de datos (PDF) | |||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | |||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | CN | |||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | DE | |||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | DE | DE | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 5 ns | 5 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 75 A | 75 A | |||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Infineon | Infineon | |||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C | + 150 C | |||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | Through Hole | Through Hole | |||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 | TO-247-3 | |||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Tube | Tube | |||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 446 W | 446 W | |||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | |||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 215 nC | 215 nC | |||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 19 mOhms | 19 mOhms | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 27 ns | 27 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | CoolMOS C7 | CoolMOS C7 | |||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 240 | 240 | |||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | |||||||||||||||||||||||||||
| Nombre comercial: | CoolMOS | CoolMOS | |||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 106 ns | 106 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 30 ns | 30 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 650 V | 650 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V | 3 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Alias de las piezas n.º: | SP000928646 IPW65R019C7FKSA1 | IPW65R019C7 SP000928646 | |||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | 795 Se puede enviar inmediatamente | 750 Se puede enviar inmediatamente | |||||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | 52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | |||||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
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| Precio: |
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