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Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Producto similar | |||||||||||||||||||||||||
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| N.º de artículo de Mouser: | 595-TPS1101DR | 595-TPS1101D | ||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | TPS1101DR | TPS1101D | ||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101D | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101DR | ||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | TPS1101DR Hoja de datos | TPS1101D Hoja de datos | ||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | ||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | TW | MX | ||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 5.5 ns | 5.5 ns | ||||||||||||||||||||||||
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 4.3 S | 4.3 S | ||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.3 A | 2.3 A | ||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C | + 150 C | ||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 40 C | - 40 C | ||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | SMD/SMT | SMD/SMT | ||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | SOIC-8 | SOIC-8 | ||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Reel | Tube | ||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 791 mW | 791 mW | ||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | ||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 11.25 nC | 11.25 nC | ||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 90 mOhms | 90 mOhms | ||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 5.5 ns | 5.5 ns | ||||||||||||||||||||||||
| Serie: | TPS1101 | TPS1101 | ||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 2500 | 75 | ||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | ||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 P-Channel | 1 P-Channel | ||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 19 ns | 19 ns | ||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 6.5 ns | 6.5 ns | ||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 15 V | 15 V | ||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 15 V, 2 V | - 15 V, 2 V | ||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1.5 V | 1.5 V | ||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | No en existencias | 175 Se puede enviar inmediatamente | ||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica. | 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | ||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
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| Precio: |
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