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Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Producto similar | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
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| N.º de artículo de Mouser: | 595-CSD25481F4T | 595-CSD25481F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | CSD25481F4T | CSD25481F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Texas Instruments | Texas Instruments | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4 | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | CSD25481F4T Hoja de datos | CSD25481F4 Hoja de datos | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | Texas Instruments | Texas Instruments | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | PH | PH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | CN | CN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | PH | PH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 6.7 ns | 6.7 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 3.3 S | 3.3 S | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.5 A | 2.5 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Texas Instruments | Texas Instruments | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C | + 150 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | SMD/SMT | SMD/SMT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | PICOSTAR-3 | PICOSTAR-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Reel | Reel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW | 500 mW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 913 pC | 913 pC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 800 mOhms | 800 mOhms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 3.6 ns | 3.6 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | CSD25481F4 | CSD25481F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 250 | 3000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nombre comercial: | FemtoFET | NexFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | P-Channel | P-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 P-Channel | 1 P-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 16.9 ns | 16.9 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 4.1 ns | 4.1 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 20 V | 20 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 12 V, 12 V | - 12 V, 12 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 950 mV | 950 mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | 3,197 Se puede enviar inmediatamente | 11,718 Se puede enviar inmediatamente | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| En pedido: |
0
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0
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| Plazo de entrega de fábrica: | 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. |
6
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
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| Comprar: |
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| Precio: |
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
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† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
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