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Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Producto similar | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
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| N.º de artículo de Mouser: | 726-IPW65R080CFDA | 726-IPW65R080CFDAFKS | ||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | IPW65R080CFDA | IPW65R080CFDAFKSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3 | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | IPW65R080CFDA Hoja de datos (PDF) | IPW65R080CFDAFKSA1 Hoja de datos (PDF) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | ||||||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | CN | ||||||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | AT | ||||||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | DE | AT | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 6 ns | 6 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 43.3 A | 43.3 A | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Infineon | Infineon | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C | + 150 C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 40 C | - 40 C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | Through Hole | Through Hole | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Tube | Tube | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 391 W | 391 W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 161 nC | 161 nC | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Calificación: | AEC-Q100 | AEC-Q100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 72 mOhms | 72 mOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 18 ns | 18 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | CoolMOS CFDA | CoolMOS CFDA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 240 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Nombre comercial: | CoolMOS | CoolMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 85 ns | 85 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 20 ns | 20 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 650 V | 650 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3.5 V | 3.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Alias de las piezas n.º: | IPW65R8CFDAXK SP000875806 IPW65R080CFDAFKSA1 | IPW65R080CFDA SP000875806 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | 381 Se puede enviar inmediatamente | 378 Se puede enviar inmediatamente | ||||||||||||||||||||||||||||||
| En pedido: |
0
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240
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| Plazo de entrega de fábrica: | 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. |
20
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
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| Comprar: |
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| Precio: |
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