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Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Producto similar | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
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| N.º de artículo de Mouser: | 595-CSD17555Q5A | 595-CSD17576Q5B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | CSD17555Q5A | CSD17576Q5B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17576Q5B | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17576Q5BT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | CSD17555Q5A Hoja de datos | CSD17576Q5B Hoja de datos | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | CN | PH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 100 A | 60 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Texas Instruments | Texas Instruments | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C | + 150 C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | SMD/SMT | SMD/SMT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | VSONP-8 | VSON-CLIP-8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Reel | Reel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 3 W | 125 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 23 nC | 53 nC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 3.4 mOhms | 2.4 mOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | CSD17555Q5A | CSD17576Q5B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 2500 | 2500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nombre comercial: | NexFET | NexFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1.5 V | 1.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | - | Enhancement | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | - | 3 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | - | 16 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | - | 23 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | - | 5 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | No en existencias | 2,572 Se puede enviar inmediatamente | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica. | 6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
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| Precio: |
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