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Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Producto similar | ||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
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| N.º de artículo de Mouser: | 511-SCTWA90N65G2V-4 | 511-SCT018W65G3-4AG | |||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | SCTWA90N65G2V-4 | SCT018W65G3-4AG | |||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package | MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package | |||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | SCTWA90N65G2V-4 Hoja de datos (PDF) | SCT018W65G3-4AG Hoja de datos (PDF) | |||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | |||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | CN | CN | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 16 ns | 29 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 119 A | 55 A | |||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | |||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 200 C | + 200 C | |||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | Through Hole | Through Hole | |||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | HiP-247-4 | HiP-247-4 | |||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Tube | Tube | |||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 565 W | 398 W | |||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | |||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 157 nC | 77 nC | |||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 24 mOhms | 27 mOhms | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 38 ns | 13 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 600 | 600 | |||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | SiC | SiC | |||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 58 ns | 64 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 26 ns | 24.5 ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 650 V | 650 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 10 V, + 22 V | - 18 V, + 18 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 5 V | 4.2 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Calificación: | - | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | 99 Se puede enviar inmediatamente | 527 Se puede enviar inmediatamente | |||||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | 22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | |||||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
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| Precio: |
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