Comparar producto similar
Información del producto: |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Producto actual | Primero Producto similar | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo de Mouser: | 726-IPW65R190C7 | 726-IPW65R190C7XKSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | IPW65R190C7 | IPW65R190C7XKSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | IPW65R190C7 Hoja de datos (PDF) | IPW65R190C7XKSA1 Hoja de datos (PDF) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Marca: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | DE | CN | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 9 ns | 9 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 13 A | 13 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Infineon | Infineon | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C | + 150 C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | Through Hole | Through Hole | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Tube | Tube | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 72 W | 72 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 23 nC | 23 nC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 168 mOhms | 168 mOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 11 ns | 11 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | CoolMOS C7 | CoolMOS C7 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 240 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nombre comercial: | CoolMOS | CoolMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 54 ns | 54 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 11 ns | 11 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 650 V | 650 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3.5 V | 3 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Alias de las piezas n.º: | SP001080142 IPW65R190C7XKSA1 | IPW65R190C7 SP001080142 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Existencias: | 3 Se puede enviar inmediatamente | 324 Se puede enviar inmediatamente | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 9 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | 9 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Precio: |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
