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APS6408L-3OBM-BA

Name: AP Memory Technology APS6408L-3OBM-BA
Brand: AP Memory
SKU: 878-APS6408L-3OBM-BA
Price: 2.41 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

878-APS6408L-3OBM-BA

Fabricante N.º:

APS6408L-3OBM-BA

Fabricante:

AP Memory

Descripción:

DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24

Hoja de datos:

APS6408L-3OBM-BA Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$1.98	$990.00
	$1.93	$1,930.00
	$1.88	$4,700.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	AP Memory Technology
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	133 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-24
Organización:	8 M x 8
Tiempo de acceso:	5.5 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	IoT RAM
Empaquetado:	Tray
Marca:	AP Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	4800
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	APMemory
Peso de la unidad:	152 mg

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Hoja de datos

APS6408L-3OBM-BA Hoja de datos

Models

APS6408L-3OBM-BA Symbol & Footprint by SnapMagic

Certificate of Compliance (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Octal SPI (OPI & HPI) PSRAM DDRs in BGA24 Package

AP Memory Octal SPI (OPI and HPI) PSRAM DDRs in the BGA24 package feature 64Mb up to 512M densities with x8 or x16 organization. The DDRs support a maximum clock frequency of 133MHz for devices operating at 3V supply and up to 200MHz for the 1.8V supply version. The Octal SPI PSRAM DDRs offer a -40°C to 85°C default industrial grade temperature and an -40°C to 105°C extended temperature range. AP Memory Octal SPI (OPI and HPI) PSRAM DDRs are ideal in memory selection for SoC applications requiring low pin count and ultra-low power extended memory.