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ALD212900ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD212900ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD212900ASAL
Price: 9.55 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

585-ALD212900ASAL

Fabricante N.º:

ALD212900ASAL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos:

ALD212900ASAL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$5.00	$2,500.00
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	10 V
Id - Corriente de drenaje continua:	79 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	0 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Depletion
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD212900A
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	74 mg

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Hoja de datos

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A Precision N-Channel EPAD MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A Precision N-Channel EPAD MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These dual monolithic devices are enhanced additions to the ALD110900A/ALD110900 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, they feature Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels. These precision devices are versatile as design components for a broad range of analog small signal applications such as basic building blocks for current mirrors, matching circuits, current sources, differential amplifier input stages, transmission gates, and multiplexers. They also excel in limited operating voltage applications, such as very low level voltage-clamps and nano-power normally-on circuits.
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