AS4C128M8D3LC-12BCN

Alliance Memory
913-4C128M8D3LC12BCN
AS4C128M8D3LC-12BCN

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (C-die), Commercial Temp - Tray

Modelo ECAD:
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En existencias: 248

Existencias:
248 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$7.97 $7.97
$7.43 $74.30
$7.20 $180.00
$7.03 $351.50
$6.76 $676.00
$6.63 $1,392.30
$6.46 $2,713.20
$6.30 $6,615.00
2,520 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
8 bit
800 MHz
FBGA-78
128 M x 8
225 ps
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: TW
País de difusión: TW
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 210
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 72 mA
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.