AS4C16M16SB-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C16M16SB-7TCN
AS4C16M16SB-7TCN

Fabricante:

Descripción:
DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,497

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$6.05 $60.50
$5.87 $146.75
$5.27 $263.50
$5.14 $555.12
$5.04 $1,088.64

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$4.77
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
16 bit
143 MHz
TSOP-II-54
16 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 55 mA
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.