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AS4C16M32SC-7TIN

Name: Alliance Memory AS4C16M32SC-7TIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C16M32SC-7TIN
Price: 24.12 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

913-AS4C16M32SC-7TIN

Fabricante N.º:

AS4C16M32SC-7TIN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM SDR, 512MB, 16M x 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray

Hoja de datos:

AS4C16M32SC-7TIN Hoja de datos (PDF)

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	$24.12	$24.12
	$22.34	$223.40
	$21.64	$541.00
	$21.11	$1,055.50
	$20.54	$2,218.32
	$19.54	$4,220.64
	$19.11	$10,319.40
1,080	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM
Tamaño de memoria:	512 Mbit
Ancho de bus de datos:	32 bit
Frecuencia de reloj máxima:	133 MHz
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-86
Organización:	16 M x 32
Tiempo de acceso:	17 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	AS4C16M32SC
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	108
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	70 mA
Peso de la unidad:	9.245 g

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Hoja de datos

AS4C16M32SC-7TIN Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320028
TARIC:: 8542323100
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.