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AS4C2M32SA-6TINTR

Name: Alliance Memory AS4C2M32SA-6TINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C2M32SA6TINTR
Price: 5.85 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

913-AS4C2M32SA6TINTR

Fabricante N.º:

AS4C2M32SA-6TINTR

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM SDRAM,64M,3.3V 166MHz,2M x 32

Hoja de datos:

AS4C2M32SA-6TINTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$5.85	$5.85
	$5.45	$54.50
	$5.29	$132.25
	$5.16	$258.00
	$5.04	$504.00
	$4.88	$1,220.00
	$4.76	$2,380.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$4.58	$4,580.00
	$4.52	$9,040.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

AS4C2M32SA-6TIN

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$7.19

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Ancho de bus de datos:	32 bit
Frecuencia de reloj máxima:	166 MHz
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-86
Organización:	2 M x 32
Tiempo de acceso:	5.4 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	AS4C2M32SA
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	95 mA

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Hoja de datos

AS4C2M32SA-6TINTR Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542319090
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.