AS4C32M16D1A-5TANTR

Alliance Memory
913-A4C32M16D1A5TANT
AS4C32M16D1A-5TANTR

Fabricante:

Descripción:
DRAM 512m, 2.5V, 200Mhz 32M x 16 DDR1

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
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$5.30 $5,300.00
$5.20 $10,400.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
AS4C32M16D1A-5TAN
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$7.34
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-II-66
32 M x 16
700 ps
2.3 V
2.7 V
- 40 C
+ 105 C
AS4C32M16D1A
Reel
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 108 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.

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