AS4C4M16D1A-5TCN

Alliance Memory
913-4C4M16D1A-5TCN
AS4C4M16D1A-5TCN

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A)

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 189

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$6.84 $6.84
$6.37 $63.70
$6.18 $154.50
$6.03 $301.50
$5.89 $636.12
$5.70 $1,231.20
$5.56 $3,002.40
$5.42 $5,853.60
2,592 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
64 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-II-66
4 M x 16
700 ps
2.3 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
AS4C4M16D1A
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: TW
País de difusión: TW
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 60 mA
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.

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