AS4C4M16SA-5TCN

Alliance Memory
913-AS4C4M16SA-5TCN
AS4C4M16SA-5TCN

Fabricante:

Descripción:
DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$3.68 $92.00
$3.60 $180.00
$3.46 $373.68
$3.39 $732.24
$3.35 $1,809.00
$3.31 $3,574.80
$3.16 $8,190.72

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-II-54
4 M x 16
4.5 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C4M16SA
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 55 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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