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AS4C4M16SA-7B2CN

Name: Alliance Memory AS4C4M16SA-7B2CN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C4M16SA-7B2CN
Price: 3.37 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

913-AS4C4M16SA-7B2CN

Fabricante N.º:

AS4C4M16SA-7B2CN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM SDRAM, 64MB, 4M X 16, 3.3V, 60-BALL FBGA, 143MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray

Hoja de datos:

AS4C4M16SA-7B2CN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	143 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-60
Organización:	4 M x 16
Tiempo de acceso:	5.4 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Serie:	AS4C4M16SA
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	286
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	70 mA

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Hoja de datos

AS4C4M16SA-7B2CN Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.