AS4C4M32S-6BIN

Alliance Memory
913-AS4C4M32S-6BIN
AS4C4M32S-6BIN

Fabricante:

Descripción:
DRAM SDRAM, 128Mb, 4M x 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 195

Existencias:
195 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$8.85 $8.85
$8.23 $82.30
$7.98 $199.50
$7.95 $397.50
$7.63 $763.00
$7.24 $1,375.60
$7.13 $4,064.10
$6.95 $7,923.00
2,660 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
128 Mbit
32 bit
166 MHz
TFBGA-90
4 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C4M32S
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 190
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 160 mA
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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