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AS4C512M8D3LC-12BIN

Name: Alliance Memory AS4C512M8D3LC-12BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C512M8D3L12BIN
Price: 34.89 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

913-4C512M8D3L12BIN

Fabricante N.º:

AS4C512M8D3LC-12BIN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tray

Hoja de datos:

AS4C512M8D3LC-12BIN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$34.89	$34.89
	$32.25	$322.50
	$31.21	$780.25
	$30.43	$1,521.50
	$29.74	$2,974.00
	$28.03	$6,783.26
484	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	800 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-78
Organización:	512 M x 8
Tiempo de acceso:	20 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.283 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.575 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	242
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	63 mA

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Hoja de datos

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REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.