AS4C64M16D3B-12BIN

Alliance Memory
913-4C64M16D3B12BIN
AS4C64M16D3B-12BIN

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Industrial Temp - Tray

Modelo ECAD:
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En existencias: 28

Existencias:
28 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$10.53 $10.53
$9.78 $97.80
$9.49 $237.25
$9.26 $463.00
$8.83 $883.00
$8.60 $1,634.00
$8.46 $4,822.20
$8.26 $9,416.40
2,660 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3
1 Gbit
16 bit
800 MHz
FBGA-96
64 M x 16
20 ns
1.425 V
1.575 V
- 40 C
+ 95 C
AS4C64M16D3B
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 190
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 72 mA
Peso de la unidad: 1.625 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.