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AS4C64M16D3LC-12BCNTR

Name: Alliance Memory AS4C64M16D3LC-12BCNTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-64M16D3LC12BCNTR
Price: 4.81 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

913-64M16D3LC12BCNTR

Fabricante N.º:

AS4C64M16D3LC-12BCNTR

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM DDR3L, 1Gb, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, COMMERCIAL TEMP, T&R, C Die

Hoja de datos:

AS4C64M16D3LC-12BCNTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	1 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	800 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	64 M x 16
Tiempo de acceso:	20 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.283 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.45 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	72 mA

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Hoja de datos

AS4C64M16D3LC-12BCNTR Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542320023
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.