AS4C64M16D3LC-12BIN

Alliance Memory
913-4C64M16D3LC12BIN
AS4C64M16D3LC-12BIN

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR3L, 1Gb, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, INDUSTRIAL TEMP, C Die

Modelo ECAD:
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En existencias: 127

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$11.44 $11.44
$10.64 $106.40
$10.31 $257.75
$10.06 $503.00
$9.82 $982.00
$9.50 $1,881.00
$9.26 $5,500.44
$9.02 $10,715.76
2,574 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
16 bit
800 MHz
FBGA-96
64 M x 16
20 ns
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: TW
País de difusión: TW
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 198
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 72 mA
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.