AS4C64M8SC-7TIN

Alliance Memory
913-AS4C64M8SC-7TIN
AS4C64M8SC-7TIN

Fabricante:

Descripción:
DRAM SDRAM, 512MB, 64M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 15

Existencias:
15 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$23.89 $23.89
$22.14 $221.40
$21.44 $536.00
$20.92 $1,046.00
$20.36 $2,198.88
$19.09 $4,123.44
$18.69 $10,092.60
1,080 Presupuesto

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
MT48LC64M8A2P-75:C
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$14.59
Mín.:
1
N.º de artículo del Fabricante:
MT48LC64M8A2TG-75:C
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$13.03
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
512 Mbit
8 bit
133 MHz
TSOP-II-54
64 M x 8
17 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C64M8SC
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 60 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8542320028
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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