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AS4C8M16D1A-5TAN

Name: Alliance Memory AS4C8M16D1A-5TAN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C8M16D1A-5TAN
Price: 4.44 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

913-AS4C8M16D1A-5TAN

Fabricante N.º:

AS4C8M16D1A-5TAN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM 128M, 2.5V, 200Mhz 8M x 16 DDR1

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR
Tamaño de memoria:	128 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-66
Organización:	8 M x 16
Tiempo de acceso:	700 ps
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	2.7 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Serie:	AS4C8M16D1A
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	108
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	140 mA

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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.