AS4C8M32S-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C8M32S-7TCN
AS4C8M32S-7TCN

Fabricante:

Descripción:
DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Commercial Temp - Tray

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$9.63 $9.63
$8.96 $89.60
$8.69 $217.25
$8.48 $424.00
$8.22 $887.76
$7.92 $1,710.72
$7.67 $4,141.80
$7.40 $7,992.00
2,160 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
143 MHz
TSOP-II-86
8 M x 32
5 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C8M32S
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 100 mA
Peso de la unidad: 4.178 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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