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AS6C4008-55TINTR

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Mouser N.º:

913-AS6C4008-55TINTR

Fabricante N.º:

AS6C4008-55TINTR

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM

Hoja de datos:

AS6C4008-55TINTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Tiempo de acceso:	55 ns
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Corriente de suministro - Máx.:	60 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-32
Empaquetado:	Reel
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	CN
País de origen:	TW
Tipo de memoria:	SDR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	AS6C4008
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	Asynchronous

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Hoja de datos

AS6C4008-55TINTR Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.