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HMC8412LP2FE

Name: Analog Devices Inc. HMC8412LP2FE
Brand: Analog Devices
SKU: 584-HMC8412LP2FE
Price: 90.02 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

584-HMC8412LP2FE

Fabricante N.º:

HMC8412LP2FE

Fabricante:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF LNA 0.4 11 GHz

Hoja de datos:

HMC8412LP2FE Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$67.38	$6,738.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	400 MHz to 11 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	5 V
Corriente de suministro operativa:	60 mA
Ganancia:	15 dB
NF - Figura de ruido:	1.5 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFCSP-6
Tecnología:	GaAs
P1dB: punto de compresión:	18 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	33 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Analog Devices
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	TW
País de origen:	KR
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	3 GHz to 9 GHz

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Soluciones RF

Analog Devices offers components that cover the complete high speed and RF signal chain. The portfolio enables design engineers to develop platform electronic test and measurement systems that have best-in-class performance and low cost of test and ownership across an ever increasing frequency range from DC to > 100GHz and beyond. As the preeminent supplier of data converters, RF and microwave ICs, Analog Devices provides more than 2,000 high performance products across the entire frequency spectrum.
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HMC8412 Low NF LNA (0.4GHz to 11GHz)

Analog Devices Inc. HMC8412 Low NF LNA (0.4GHz to 11GHz) are gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifiers. The HMC8412 operates from 0.4GHz to 11GHz and provides a typical gain of 15.5dB, a 1.4dB (typical) noise figure, and a typical output third-order intercept (OIP3) of ≤33dBm, requiring only 60mA from a 5V drain supply voltage. The saturated output power (PSAT) of ≤20.5dBm (typical) allows the low noise amplifier (LNA) to function as a local oscillator (LO) driver for many ADI balanced, in-phase, and quadrature (I/Q) or image rejection mixers.