AS3001316-035nX0PTAY

Name: Avalanche Technology AS3001316-035nX0PTAY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-31316035NX0PTAY
Price: 14.75 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

793-31316035NX0PTAY

Fabricante N.º:

AS3001316-035nX0PTAY

Fabricante:

Avalanche Technology

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Hoja de datos:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Avalanche Technology
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TSOP-44
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Organización:	64 k x 16
Ancho de bus de datos:	16 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	12 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Serie:	AS3001316
Empaquetado:	Tray
Marca:	Avalanche Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	135
Nombre comercial:	STT-MRAM, MRAM

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USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.