CDMS24740-170 SL PBFREE

Name: Central Semiconductor CDMS24740-170 SL PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDMS24740-170SL
Price: 39.55 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

610-CDMS24740-170SL

Fabricante N.º:

CDMS24740-170 SL PBFREE

Fabricante:

Central Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Ciclo de vida:

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510	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	26 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	40 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	28 W
Modo canal:	Depletion
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	25 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	35 ns
Serie:	CDMS247
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	35 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1700 V

Central Semiconductor 1700V N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications. These MOSFETs feature a gate-source voltage (V_GS) rating of 20V and a continuous drain current (I_D) of 37A (CDMS24720-170) or 26A (CDMS24740-170). Both devices have a 28W power dissipation (P_D) rating and are packaged in a TO-247 with an operating temperature range of -55°C to 175°C. These Central Semiconductor 1700V SiC MOSFETs support higher breakdown voltage and better thermal conductivity.