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DMT31M8LFVWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT31M8LFVWQ-13
Price: 1.49 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMT31M8LFVWQ-13

Fabricante N.º:

DMT31M8LFVWQ-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

DMT31M8LFVWQ-13 Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.49	$1.49
	$0.934	$9.34
	$0.62	$62.00
	$0.489	$244.50
	$0.441	$441.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.394	$1,182.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerDI3333-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	43.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	39 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.1 ns

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USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

DMT31M8LFVWQ 30V N-Ch Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs provide low on-resistance in a thermally efficient small form factor package. The devices offer superior switching performance and are ideal for high-efficiency power management applications. The Diodes Inc. DMT31M8LFVWQ MOSFETs are available in a PowerDI^®3333-8 package with a wettable flank for improved optical inspection.