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2N7000

Name: Diotec Semiconductor 2N7000
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-2N7000
Price: 0.42 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-2N7000

Fabricante N.º:

2N7000

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N

Hoja de datos:

2N7000 Hoja de datos (PDF)

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	$0.286	$2.86
	$0.24	$24.00
	$0.191	$95.50
	$0.167	$167.00
Envase tipo caja "Ammo Pack" completo (pedir en múltiplos de 4000)
	$0.095	$380.00
	$0.043	$344.00
	$0.039	$936.00
	$0.035	$1,680.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-92-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	800 mV
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	350 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	2N7000
Empaquetado:	Ammo Pack
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	100 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	2N7
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	336 mg

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2N7000 Hoja de datos (PDF)

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Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.