DIF065SIC030

Name: Diotec Semiconductor DIF065SIC030
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF065SIC030
Price: 22.42 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DIF065SIC030

Fabricante N.º:

DIF065SIC030

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC 650V TO-247-4L, N, 105A, 650V, 30m?, 175°C

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	105 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	145 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DIF065SIC030
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	38 S
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material. The DIF065SIC0x0 features a low gate charge and on-state resistance. The devices operate at a 650V drain-source voltage with a junction temperature of -55°C to +175°C.