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DIT090N06

Name: Diotec Semiconductor DIT090N06
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIT090N06
Price: 1.86 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DIT090N06

Fabricante N.º:

DIT090N06

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 65V, 90A, 175C, N

Hoja de datos:

DIT090N06 Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.9 V
Qg - Carga de puerta:	94 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	160 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DIT090N06
Empaquetado:	Tube
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Serie:	DIT0/1
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns
Peso de la unidad:	2.820 g

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DIT090N06 Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.