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MMBT7002DW

Name: Diotec Semiconductor MMBT7002DW
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMBT7002DW
Price: 0.2 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-MMBT7002DW

Fabricante N.º:

MMBT7002DW

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SOT-363, 60V, 0.115A, 150C, N

Hoja de datos:

MMBT7002DW Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.20	$0.20
	$0.124	$1.24
	$0.087	$8.70
	$0.062	$31.00
	$0.056	$56.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.042	$126.00
	$0.035	$315.00
	$0.034	$816.00
	$0.03	$1,350.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	115 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	200 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MMBT7002DW
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	MMBT-MOSFET
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	30 mg

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Hoja de datos

MMBT7002DW Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs

Diotec Semiconductor MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs offer ESD-protected gate fast switching times ideal for signal processing, logic level converter, and driver applications. The MMBT7002K features a 60V drain-source voltage, 20V gate-source voltage, and 350mW power dissipation. The devices are available in a SOT-23 package and operate at an -55C to 150C junction temperature. The Diotec MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs are compliant with RoHS, REACH, and conflict minerals.