G3F17MT12FB2

Name: Navitas Semiconductor G3F17MT12FB2
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-G3F17MT12FB2
Price: 99.45 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

905-G3F17MT12FB2

Fabricante N.º:

G3F17MT12FB2

Fabricante:

GeneSiC Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Navitas Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	SiCPAK
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	68 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	23 mOhms
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	170 W
Serie:	SiCPAK F
Empaquetado:	Tray
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tiempo de caída:	26 ns
Altura:	12 mm
Longitud:	65 mm
Producto:	SiC Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	48
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	SiCPAK
Tipo:	Half-Bridge
Ancho:	34 mm

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.