G3F45MT06J-TR

GeneSiC Semiconductor
905-G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET

Ciclo de vida:
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$5.76 $4,608.00
2,400 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Navitas Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
650 V
57 A
40 mOhms
Enhancement
Marca: GeneSiC Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Serie: G3F
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance. The technology enables an extremely low RDS(ON) increase vs. temperature, which results in low power losses across the full operating range. Available in 650V and 1200V variants, these MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density. GeneSiC G3F SiC MOSFETs offer high-speed, cool-running performance, with up to a +25°C lower case temperature. The thermally enhanced TOLL package for the 650V variant provides space and thermal management advantages. The 1200V models offer the power needed for next-generation EVs and industrial applications. Typical applications include AI data centers, EV roadside superchargers, onboard chargers (OBC), energy storage systems (ESS), and solar power solutions.

650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density, demanded by various applications. These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 650V SiC MOSFETs offer the best-in-class 20mΩ to 55mΩ low on-resistance range. These MOSFETs feature a peak efficiency above 97% at 137W/inch³ power density. The 650V SiC MOSFETs come in a thermally enhanced, rugged, high-speed, surface-mount TOLL package. Typical applications include AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.