GRF0010

Guerrilla RF
459-GRF0010
GRF0010

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 15W PSAT at 50V or 8W PSAT at 28V

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$108.26 $10,826.00
250 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Guerrilla RF
Categoría de producto: GaN FETs
Marca: Guerrilla RF
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

GRFx GaN HEMT Power Transistors

Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors are unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications. These transistors operate across a wide frequency range of DC to 6GHz, 7GHz, and 8GHz with an operating drain voltage of 28V and 50V. The GRFx transistors support both linear and pulsed modes and are 100% DC, and RF production tested. These transistors are housed in a compact, industry-standard 3mm x 3mm QFN-16 surface mount package, are lead-free, and RoHS compliant. Typical applications include cellular infrastructure, radar systems, communications, and test instrumentation.

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