IS25WP512MJ-JMLE-TY

ISSI
870-S25WP512MJJMLETY
IS25WP512MJ-JMLE-TY

Fabricante:

Descripción:
Almacenamiento flash universal - UFS 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS. Tray, new die

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$9.05 $9.05
$8.42 $84.20
$8.16 $204.00
$7.97 $398.50
$7.88 $788.00
$7.42 $1,305.92
$7.31 $3,859.68
$7.13 $7,529.28
2,640 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: Almacenamiento flash universal - UFS
RoHS:  
512 Mb
QPI
- 40 C
+ 105 C
SOIC-16
Tray
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Estilo de montaje: SMD/SMT
Producto: Flash Memory
Tipo de producto: Universal Flash Storage (UFS)
Cantidad de empaque de fábrica: 176
Voltaje de alimentación - Máx.: 1.95 V
Voltaje de alimentación - Mín.: 1.65 V
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.a

IS25LP512MJ & IS25WP512MJ Flash Memory Devices

ISSI IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash Memory Devices are versatile storage solutions designed for systems that require limited space, low pin count, and low power consumption. These devices are accessed through a 4-wire SPI interface. The interface includes a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins. The IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash memory devices support Double Transfer Rate (DTR) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These devices feature 80MHz normal read, up to 166MHz fast read, 1μA deep power down, 6μA standby current, and 8mA active read current. The IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash memory devices offer more than 20 years of data retention.