IS25WP512MJ-RHLE-TR

ISSI
870-S25WP512MJRHLETR
IS25WP512MJ-RHLE-TR

Fabricante:

Descripción:
Almacenamiento flash universal - UFS 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, reset pin, RoHS, reset pin, T&R,

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No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 2500   Múltiples: 2500
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$7.06 $17,650.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: Almacenamiento flash universal - UFS
RoHS:  
512 Mb
QPI
- 40 C
+ 105 C
TFBGA-24
Reel
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Estilo de montaje: SMD/SMT
Producto: Flash Memory
Tipo de producto: Universal Flash Storage (UFS)
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Voltaje de alimentación - Máx.: 1.95 V
Voltaje de alimentación - Mín.: 1.65 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.a

IS25LP512MJ & IS25WP512MJ Flash Memory Devices

ISSI IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash Memory Devices are versatile storage solutions designed for systems that require limited space, low pin count, and low power consumption. These devices are accessed through a 4-wire SPI interface. The interface includes a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins. The IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash memory devices support Double Transfer Rate (DTR) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These devices feature 80MHz normal read, up to 166MHz fast read, 1μA deep power down, 6μA standby current, and 8mA active read current. The IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash memory devices offer more than 20 years of data retention.

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