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IS42S16400N-7BLI

Name: ISSI IS42S16400N-7BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-IS42S16400N-7BLI
Price: 4.5 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-IS42S16400N-7BLI

Fabricante N.º:

IS42S16400N-7BLI

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	143 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-54
Organización:	4 M x 16
Tiempo de acceso:	5.4 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	348
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	70 mA

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.