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IS43LR32160C-6BLI

Name: ISSI IS43LR32160C-6BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-IS43LR32160C6BLI
Price: 9.23 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-IS43LR32160C6BLI

Fabricante N.º:

IS43LR32160C-6BLI

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

Hoja de datos:

IS43LR32160C-6BLI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM Mobile - LPDDR
Tamaño de memoria:	512 Mbit
Ancho de bus de datos:	32 bit
Frecuencia de reloj máxima:	166 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-90
Organización:	16 M x 32
Tiempo de acceso:	6 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	IS43LR32160C
Empaquetado:	Tray
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	60 mA
Nombre comercial:	RLDRAM2
Peso de la unidad:	167.700 mg

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CNHTS:: 8542329000
USHTS:: 8542320028
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

IS43LR16800F 2Mx16 Mobile DDR SDRAM

ISSI IS43LR16800F 2Mx16 Mobile DDR SDRAM is 134,217,728 bits Mobile Double Data Rate (DDR) Synchronous DRAM (SDRAM) organized as 4 banks of 2,097,152 words x 16 bits. This product uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The Data Input/ Output signals are transmitted on a 16-bit bus. The double data rate architecture is essentially a 2N prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. This product offers fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock.

Mobile DDR SDRAM

ISSI Mobile DDR SDRAM is organized as 4 banks of 16,777,216 words x 16 bits and uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The Data Input/Output signals are transmitted on a 16-bit bus. The double data rate architecture is essentially a 2N prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. ISSI Mobile DDR SDRAM offers fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 2n-bits prefetched to achieve very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVCMOS.