IS43R16160D-6TLI

ISSI
870-IS43R16160D-6TLI
IS43R16160D-6TLI

Fabricante:

Descripción:
DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Reemplazo posible

ISSI IS43R16160F-6TLI
ISSI
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Comparar con la parte actual

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
256 Mbit
16 bit
166 MHz
TSOP-II-66
16 M x 16
6 ns
2.3 V
2.7 V
- 40 C
+ 85 C
IS43R16160D
Tray
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 280 mA
Peso de la unidad: 2.188 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Models

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM

ISSI IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory array is internally organized as four banks of 64MB to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages.

DDR SDRAM

ISSI 512-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages. The device is available in 8-bit, 16-bit, and 32-bit data word sizes. Input data is registered on the I/O pins on both edges of Data Strobe signal(s), while output data is referenced to both edges of Data Strobe and both edges of CLK. ISSI 512-Mbit DDR SDRAM commands are registered on the positive edges of CLK.

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