IS43R86400D-5TL

ISSI
870-IS43R86400D-5TL
IS43R86400D-5TL

Fabricante:

Descripción:
DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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$7.40 $74.00
$7.18 $179.50
$7.01 $350.50
$6.84 $738.72
$6.62 $1,429.92
$6.45 $3,483.00
$6.29 $6,793.20
2,592 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
TSOP-II-66
64 M x 8
5 ns
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
IS43R86400D
Tray
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 430 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542320028
JPHTS:
8542320216
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM

ISSI IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory array is internally organized as four banks of 64MB to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages.

DDR SDRAM

ISSI 512-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages. The device is available in 8-bit, 16-bit, and 32-bit data word sizes. Input data is registered on the I/O pins on both edges of Data Strobe signal(s), while output data is referenced to both edges of Data Strobe and both edges of CLK. ISSI 512-Mbit DDR SDRAM commands are registered on the positive edges of CLK.

IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM

ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM features programmable burst length, burst sequence, and CAS latency, enabling further advantages.

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