IS62WV6416ALL-55BLI

ISSI
870-62WV6416A55BLI
IS62WV6416ALL-55BLI

Fabricante:

Descripción:
Tamaño de memoria RAM (SRAM) 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 480   Múltiples: 480
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.63 $1,742.40
$3.59 $3,446.40
$3.53 $10,166.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: Tamaño de memoria RAM (SRAM)
Alertas de entrega:
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RoHS:  
1 Mbit
55 ns
2.2 V
1.7 V
5 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-48
Tray
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Velocidad de transmisión de datos: SDR
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Serie: IS62WV6416ALL
Cantidad de empaque de fábrica: 480
Subcategoría: Memory & Data Storage
Tipo: Asynchronous
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
8542320194
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A001.B.2.B

Ultra-Low Power SRAM

ISSI Ultra-Low Power SRAM includes high-speed (35ns, 45ns, 55ns access time) CMOS devices as well as Asynchronous SRAM with x8, x16, and x32 configurations. ISSI IS62/65WV2568DALL and IS62/65WV2568DBLL are high-speed, 2Mb static RAMs organized as 256K words by 8 bits. These SRAM devices are fabricated using ISSI high-performance CMOS technology. This highly reliable process, coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low-power-consumption devices. ISSI Asynchronous SRAMs include 5V, High-Speed/Low Power, Ultra-Low Power, and Pseudo SRAM (PSRAM)/CellularRAM™. These Asynchronous SRAMs are used throughout Consumer, Industrial, Automotive, Telecom, and Networking applications.