IS64C6416AL-15TLA3-TR

ISSI
870-64C6416AL15TLA3T
IS64C6416AL-15TLA3-TR

Fabricante:

Descripción:
Tamaño de memoria RAM (SRAM) 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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N.º de artículo del Fabricante:
IS64C6416AL-15TLA3
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$5.63
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: Tamaño de memoria RAM (SRAM)
Alertas de entrega:
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RoHS:  
1 Mbit
15 ns
5.5 V
4.5 V
50 mA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
TSOP-44
Reel
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Velocidad de transmisión de datos: SDR
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Serie: IS64C6416AL
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Tipo: Asynchronous
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
8542320194
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A001.B.2.B

Asynchronous SRAMs

ISSI Asynchronous SRAMs are offered in x8, x16, and x32 configurations. These devices are available in high-speed, low-power, high-speed/low-power, PowerSaver lower power, and automotive versions with long-term support offered by ISSI's commitment to the continued development of these products. ISSI Asynchronous SRAMs feature a wide offering of densities (64K to 16M), speeds (8ns to 55ns), supply voltages (1.65V to 5V), and temperature ranges (commercial, industrial, and automotive). These devices are available in a variety of packages (BGA, SOJ, SOP, sTSOP, and TSOP) to fit a variety of design needs.

IS64C6416AL High-Speed CMOS Static RAM

ISSI IS64C6416AL High-Speed CMOS Static RAM is high-speed, 1,048,576-bit static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process, coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 12ns with low power consumption. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and Output Enable inputs, CE, and OE. The active LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of the memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB) access.

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