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LF2104NTR

Name: IXYS LF2104NTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2104NTR
Price: 1.17 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-LF2104NTR

Fabricante N.º:

LF2104NTR

Fabricante:

IXYS Integrated Circuits

Descripción:

Controladores de puertas Half-Bridge DRVR 130mA SOIC(N)-8

Hoja de datos:

LF2104NTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.17	$1.17
	$0.844	$8.44
	$0.764	$19.10
	$0.675	$67.50
	$0.633	$158.25
	$0.607	$303.50
	$0.586	$586.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.572	$1,430.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	2 Output
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	70 ns
Tiempo de caída:	35 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	IXYS Integrated Circuits
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo lógico:	CMOS, TTL
Tiempo de retardo de apagado máximo:	220 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	820 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	350 uA
Dp - Disipación de potencia :	625 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	60 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Gate Drivers for N-Channel MOSFETs & IGBTs

IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs include high-voltage high-speed gate drivers and three-phase gate driver ICs. These devices are designed to drive two N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration or high-side / low-side configuration. The high-voltage technology enables the high side to switch to 600V in a bootstrap operation. The drivers provide feature high pulse current buffers designed for minimum driver cross conduction. Other features include logic inputs with 3.3V capability, Schmitt triggered logic inputs, and undervoltage lockout (UVLO) protection. IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs operate over an extended temperature range of -40°C to +125°C.