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IXBL60N360

Name: IXYS IXBL60N360
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBL60N360
Price: 123.14 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXBL60N360

Fabricante N.º:

IXBL60N360

Fabricante:

IXYS

Descripción:

IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT

Hoja de datos:

IXBL60N360 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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500	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	ISOPLUS i5-PAC-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	BIMOSFET

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high L_di/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

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