IXFA3N120-TRR

IXYS
747-IXFA3N120-TRR
IXFA3N120-TRR

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA3N120 TRR

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 800   Múltiples: 800
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$5.68 $4,544.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Tube
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$10.53
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
3 A
4.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
200 W
Enhancement
Reel
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Serie: HiPerFET
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 32 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Peso de la unidad: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Standard N-Channel HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS Standard N-Channel HiPerFET™ Power MOSFETs are designed for both hard switching and resonant mode applications. These devices offer low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode. IXYS Standard N-Channel HiPerFET™ Power MOSFETs are available in many standard industrial packages, including isolated types.